日本napson高規(guī)半自動(dòng)四探針薄層電阻測量儀

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣本
• 硅基薄膜（LTPS等），IGZO
• 硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm 

-選項(xiàng)（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸，?210 x 210毫米

測量范圍

①RT-3000（S）；
[電阻（比電阻）]100μ至1MΩ·cm 
[片材電阻] 1m至10MΩ/ 
sq②RT-3000（H）; 
[片材電阻] 10m至1GΩ/ sq

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣本
• 硅基薄膜（LTPS等），IGZO
• 硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm 

-選項(xiàng)（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸，?210 x 210毫米

測量范圍

①RT-3000（S）；
[電阻（比電阻）]100μ至1MΩ·cm 
[片材電阻] 1m至10MΩ/ 
sq②RT-3000（H）; 
[片材電阻] 10m至1GΩ/ sq

映射圖像

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