日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀
產(chǎn)品名稱: 日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào): Cresbox
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀測(cè)量模式可編程和圓形/方形測(cè)量兼容的繪圖軟件自檢功能,測(cè)量范圍廣厚度/周邊位置/溫度補(bǔ)償功能(硅)薄層電阻/金屬膜厚顯示功能
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀 的詳細(xì)介紹
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
- 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)
- 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
- 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
- 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
- 其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)
測(cè)量尺寸
?8英寸,或?156x156mm
測(cè)量范圍
[電阻(比電阻)] 1m至300kΩ·cm
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
- 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)
- 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
- 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
- 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
- 其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)
測(cè)量尺寸
?8英寸,或?156x156mm
測(cè)量范圍
[電阻(比電阻)] 1m至300kΩ·cm
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq
測(cè)量規(guī)格
測(cè)量目標(biāo)
- 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料(硅,多晶硅,SiC等)
- 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
- 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
- 擴(kuò)散樣品硅基外延離子注入樣品
- 其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)
測(cè)量尺寸
?8英寸,或?156x156mm
測(cè)量范圍
[電阻(比電阻)] 1m至300kΩ·cm
[板電阻] 5m至10MΩ/ sq
日本napson半自動(dòng)4探針薄層電阻測(cè)試儀