ARK 高輸出型芯片周邊曝光led光源
ARK 高輸出型芯片周邊曝光led光源
適用于g線、i線抗蝕劑的芯片周邊曝光用的UV-LED光源。通過的光學(xué)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了7,000mw/cm2以上的高輸出。適用于以往需要較長(zhǎng)時(shí)間處理的厚膜抗蝕劑的處理。進(jìn)一步可大幅縮短曝光處理時(shí)間,大大有助于芯片處理張數(shù)的增大。適用于g線、i線抗蝕劑的芯片周邊曝光用的UV-LED光源。通過的光學(xué)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了7,000mw/cm2以上的高輸出。適用于以往需要較長(zhǎng)時(shí)間處理的厚膜抗蝕劑的處理。進(jìn)一步可大幅縮短曝光處理時(shí)間,大大有助于芯片處理張數(shù)的增大。適用于g線、i線抗蝕劑的芯片周邊曝光用的UV-LED光源。通的光學(xué)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了7,000mw/cm2以上的高輸出。適用于以往需要較長(zhǎng)時(shí)間處理的厚膜抗蝕劑的處理。進(jìn)一步可大幅縮短曝光處理時(shí)間,大大有助于芯片處理張數(shù)的增大。
項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
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使用環(huán)境溫度 | 5~40度(無結(jié)露。) |
電源電圧 | 單相100~240V |
電源周波數(shù) | 50/60赫茲 |
發(fā)光峰值波長(zhǎng) | 365±5nm |
光出力安定度 | +/-5%以內(nèi) |
初期紫外線強(qiáng)度 | 2000mw/cm2以上(在365nm,距掩模0.5mm的距離) |
強(qiáng)度分布的均勻性 | 10%以下(4x)5mm區(qū)域) |
紫外線発光源 | 紫外發(fā)光二極管 |
紫外線発光源壽命 | 20000小時(shí)(推定壽命驅(qū)動(dòng)電流最大時(shí))※紫外線強(qiáng)度為初期50%以上的點(diǎn)燈累計(jì)時(shí)間 |
照射ON/OFF功能 | UV-LED的ON/OFF控制(通過遠(yuǎn)程及手動(dòng)控制點(diǎn)亮/熄滅) |
光量調(diào)整機(jī)能 | UV-LED的電流調(diào)整光量調(diào)整范圍為20~100% |
外裝材質(zhì) | 不銹鋼 |
外形寸法 | 150毫米×200毫米×192毫米 |
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