日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-

測量對象

半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）

測量尺寸

?8英寸，或?156x156mm

測量范圍

[電阻率] 1 m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總量程/ 500 um的厚度）
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq 
（*所有探頭類型的總量程）

*每種探頭類型的測量范圍，請參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

帶有手持式探頭的手動無損（渦流法）電阻測量儀

產(chǎn)品名稱：EC-80P（便攜式）

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）

產(chǎn)品特點

• 電阻可以通過簡單地接觸手持式探頭來測量。
• 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
• 通過JOG撥盤輕松設置測量條件
• 可更換的電阻測量探頭，帶連接器，適用于寬電阻范圍
• （電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）

測量規(guī)格

測量對象

半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請聯(lián)系我們）

測量尺寸

無論樣品的大小和形狀如何，都可以進行測量（但是，大于20mmφ且具有平坦的表面）

測量范圍

[電阻率] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總量程/當厚度為500um時）
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總量程）

*每種探頭類型的測量范圍，請參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10-1000Ω/□（0.5-60Ω-cm）
（4）S-高：1000-3000Ω/□（60-200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5-500Ω /□（0。 2?15Ω-cm）

傳單

*單擊下面的按鈕下載此產(chǎn)品的傳單。

非接觸式（渦流法）電阻率/薄層電阻測量儀，可通過個人計算機輕松操作

產(chǎn)品名稱：NC-10（NC-20）

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）

產(chǎn)品特點

• 通過PC節(jié)省空間，易于操作和數(shù)據(jù)處理
• 非接觸式渦流方法可實現(xiàn)無損測量
• 由于探頭是可拆卸和可更換的，因此您可以輕松地為每個范圍的探頭更換它。
• （*第二和后續(xù)電阻探頭可選）
• 中心1點測量
• 厚度/溫度校正功能（硅晶片）

測量規(guī)格

測量對象

半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
 硅基外延離子與
 半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請聯(lián)系我們）

測量尺寸

3至8英寸，?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸，?210 x 210毫米）

測量范圍

[電阻率] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總量程/當厚度為500um時）
[抗熱阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總量程）

*每種探頭類型的測量范圍，請參見下文。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至0.05Ω-cm）
（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ）高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

DUORES手持式薄層電阻測量儀（2個探頭更換用[接觸型和無損測量探頭]）

產(chǎn)品名稱：DUORES

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）

產(chǎn)品特點

易于攜帶和測量的手持式薄層電阻測量裝置：DUORES

可以根據(jù)測量目標交換和使用兩種類型的探頭（非破壞性/接觸式）

•世界上地衣臺可以更換和使用兩種類型的探頭（無損型，接觸型）的便捷型薄層電阻測量儀 • 
只需放置/應用探頭即可自動進行測量
•電池連續(xù)工作時間：24小時（*電池使用時）
•顯示數(shù)據(jù)項數(shù)：多100（*顯示醉心數(shù)據(jù)）

•保存的大數(shù)據(jù)數(shù)：50,000（*軟件顯示屏）
•測量數(shù)據(jù)傳輸功能：USB-Mini 
•顯示：3個顯示單位（Ω/□，S /□，n / m [金屬膜厚度轉換]）， 4位浮點數(shù)（0.000至9999）

*僅出售身體+非破壞性探針，僅出售身體+接觸探針。

測量規(guī)格

測量對象

薄膜，玻璃，紙材料等 
通常，可以在測量范圍內(nèi)測量任何樣品。
•薄膜材料（ITO，TCO等）
•低電子玻璃
•碳納米管，石墨烯材料
•金屬材料（納米線，網(wǎng)格，網(wǎng)格）
•其他

測量尺寸

無論尺寸和厚度如何，都可以進行
測量（*每個探頭的測量點尺寸或更多）

<測量點>

?無損探棒（渦流型）：φ25mm

?接觸探針（4種探針）：9mm

測量范圍

?無損探棒（渦流方式）：0.5 -200Ω/ sq 
?接觸式探棒（4探針方式）：0.1 -4000Ω/ sq

傳單

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非接觸型（脈沖電壓激勵法）超低電阻量程電阻測量系統(tǒng)

商品名稱：PVE-80

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）

產(chǎn)品特點

• 非接觸式電阻測量系統(tǒng)，采用脈沖電壓激勵方法作為測量原理，可在不損壞樣品的情況下進行測量

• 節(jié)省空間的車身外殼，便攜式可移動臺

• 通過PC（軟件）輕松進行測量操作和數(shù)據(jù)存儲/管理

• 測量顯示單元可以根據(jù)應用（薄層電阻，電導率，電導率）進行更改

  *本產(chǎn)品使用本公司與千葉大學共同開發(fā)的測量方法：脈沖電壓激勵法（篆隸號5386394）。

測量規(guī)格

測量對象

新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜（金屬，ITO等）
復合半導體（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*聯(lián)系我們請給我）

測量尺寸

?A4尺寸（W300 x D210mm）

測量范圍

50μ?1mΩ/平方

傳單

*單擊下面的按鈕下載此產(chǎn)品的傳單。

日本napson緊湊易用手動非接觸電阻測量儀-