日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
產(chǎn)品名稱: 日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
產(chǎn)品型號: Cresbox
產(chǎn)品特點: 日本napson階段集成式半自動四探針測量儀產(chǎn)品特點用于圓/方測量的可編程測量模式和繪圖軟件自檢功能,測量范圍廣厚度/周邊位置/溫度校正功能(用于硅)薄層電阻/金屬膜厚顯示功能
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀 的詳細介紹
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
測量規(guī)格
測量對象
- 與半導體/太陽能電池材料有關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
- 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
- 導電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
- 擴散樣品硅外延,離子注入樣品
- 其他(*請聯(lián)系我們)
測量尺寸
?8英寸,或?156x156mm
測量范圍
[電阻率(電阻率)] 1 m至300 kΩ·cm
[板電阻] 5 m至10 MΩ/ sq
傳單
*單擊下面的按鈕下載此產(chǎn)品的傳單。
映射圖像
高規(guī)格類型的電阻率(比電阻)/薄層電阻半自動四探針法測量儀器
產(chǎn)品名稱:RT-3000 / RG-2000(RG-3000)
產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進行各種定制)
產(chǎn)品特點
- 具有世界醉高電阻測量范圍的4探針測量儀
- 用于圓/方測量的可編程測量模式和繪圖軟件
- 自檢功能,厚度/周邊位置/溫度校正功能(用于硅)
- 根據(jù)電阻范圍從2種類型的測試儀中選擇
- (RT-3000(S):寬范圍,RT-3000(H):高電阻范圍)
測量規(guī)格
測量對象
- 與半導體/太陽能電池材料有關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
- 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
- 導電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
- 擴散樣本
- 硅基薄膜(LTPS等),IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 其他(*請聯(lián)系我們)
測量尺寸
?8英寸,或?156x156mm
?選件(兼容大直徑尺寸:RG-3000型):?12英寸,?210×210mm
測量范圍
①RT-3000(S);
[電阻率(電阻率)] 100μ- 1MΩ·cm
[層電阻] 1m-
10MΩ / sq②RT-3000(H);
[層電阻] 10m-1GΩ/ sq
傳單
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映射圖像
平板(液晶等)電阻率(比電阻)/薄層電阻的半自動測量
商品名稱:RG-100PV
產(chǎn)品圖片(可根據(jù)客戶要求進行各種定制)
產(chǎn)品特點
- 用于玻璃基板上薄膜的4探針半自動測量儀
- XY軸機械平臺
- 對于平面內(nèi)多點測量,均勻螺距或隨機螺距的可選設置,已安裝2-D / 3-D映射軟件
測量規(guī)格
測量對象
- 與半導體/太陽能電池材料有關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
- 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
- 導電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
- 擴散樣品硅薄膜(LTPS等),IGZO
- 硅基外延離子注入樣品
- 與化合物半導體有關(guān)的(GaAs,Epi,GaN,Epi,InP,Ga等)
- 其他(*請聯(lián)系我們)
測量尺寸
大300 x 300毫米(可選;大500 x 500毫米)
測量范圍
[電阻率(比電阻)] 1 m至200Ω·cm
[板電阻] 1 m至1,000kΩ/ sq(可選;醉高10 MΩ/ sq)
日本napson階段集成式半自動四探針測量儀