使用高真空泵系統(tǒng)（可選）沉積
的單層石墨烯/Ni 的光學顯微圖像

　基板的快速冷卻據(jù)說是通過使用碳氫化合物氣體（CH4 和 C2H2）的 CVD 方法在催化劑基板（Ni、Cu 等）上生長石墨烯薄膜的重要因素之一。

　該裝置配備了僅允許加熱部分滑動而爐芯管保持原樣的機構(gòu)。這種滑動機構(gòu)允許爐子的熱區(qū)快速從樣品位置移開，從而使樣品快速冷卻。此外，通過安裝可選的高真空排氣系統(tǒng)，可以輕松沉積更大面積的單層石墨烯薄膜。

使用高真空泵系統(tǒng)（可選）沉積的單層石墨烯/Ni 的拉曼光譜

加熱期間（載玻片移動前）

冷卻時（滑動移動后）

*實際產(chǎn)品可能與照片略有不同。

目的 ：	這是用于合成石墨烯薄膜的管式爐（50mmφ）型熱CVD設(shè)備。
特征 ：	配備爐膛滑動機構(gòu)，可快速加熱/冷卻樣品 　三系統(tǒng)質(zhì)量流量氣體流量控制系統(tǒng)，實現(xiàn)精準氣體控制 　緊湊堅固的外殼設(shè)計，易于安裝在桌面實驗室工作臺等。 　[選項] 可增加電機驅(qū)動的自動滑動功能。 　[選項] 通過增加渦輪排氣泵，可以沉積更高質(zhì)量的石墨烯。 　[選項] 可將熱電偶傳感器引入爐內(nèi)，直接監(jiān)測樣品溫度。