如上所述,在非接觸型中,通過(guò)將樣品插入上下配對(duì)的探針之間的間隙中來(lái)執(zhí)行測(cè)量。
因此,探針單元的形狀不可避免地限制了樣品的厚度和相應(yīng)的尺寸。
因此,為了處理大樣本和厚樣本,我們通過(guò)應(yīng)用渦流技術(shù)開(kāi)發(fā)并制造了一種單面手持式探頭。
如左圖所示,只需垂直于樣品表面觸摸探頭即可進(jìn)行測(cè)量。
日本napson手持式探針無(wú)損渦流法電阻測(cè)量?jī)x
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)
測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽(yáng)能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)
測(cè)量目標(biāo)
半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)
測(cè)量尺寸
無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
測(cè)量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
(*所有探頭類型的總范圍)
*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太陽(yáng)能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)
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